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第二百七十一章 成功了光刻工廠實現了(第2頁)

林天在檢驗了十幾束13.5納米波長的極紫外光後,也發現了單色性最好的一條光束,将它設定為1号光刻區域。

又經過了十分鐘的參數調試,排除外故障情況,林天輸入了确定工作的指令。

下一秒。

運輸裝置自動取片。

存放在特定區域的半導體矽片被靜電吸盤吸起,運送到清洗區域,洗掉附着在半導體矽片表面的灰塵和雜質。

在清洗完成以後,半導體矽片會通過特殊運輸通道,運往下一個步驟進行烘烤,待半導體矽片徹底幹燥将繼續運往下一個步驟,塗抹光刻膠。

自動取片。

自動清洗。

自動塗膠。

自動光刻。

這就是光刻工廠,亦或者說光刻全自動工廠。

兩塊光掩膜版已經重疊,他們在特定

這也是為什麼第一期的光刻工廠隻有5000平的原因,因為建造太大也沒用,像靜電吸盤和各類自動化運輸的設備,都是需要定制化購買的,關鍵有些設備國内還沒有,比如靜電吸盤設備。

第一期相當于測試,等測試通過就可以擴建二期、三期甚至是第四期的光刻工廠。

當然了。

前提是可以能光刻成功。

“我們沒有單獨完整的SOC上帝芯片光掩膜版,隻能用兩塊陰陽掩膜版堆疊在一塊形成完整圖案,這又會出現個問題。”

林天喃喃自語。

像似給陳星幾人解釋,又像似說給自己聽。

“那就是兩塊光掩膜版堆疊,兩塊透明基闆會削弱極紫外光能量,導緻光刻失敗。”

“為了解決這個問題,我加大了粒子加速器的功率,讓電子運動的速度再次增加。”

“理論上來說,運行功率的加大,會同步放大電子運動的速度,電子在環形存儲器的速度越快,輻射出的極紫外光能量就越強,但我并不能确定這個數值是不是正确的,隻能說理論可行。”

光刻工廠沒有人測試過,誰也不知道行不行。

現在又因為光掩膜版限制,林天隻能加大功率,這給測試又增添了不小的難度。

“試試就知道了。”

陳星默默舉起手機拍攝。

雖然他們在操控室,但面前的屏幕有顯示潔淨室的畫面,根本不需要親自前往。

林天微微颔首,沒有說話,他雙眸注視着監控畫面,神色也顯得格外緊張。

烘幹冷卻,塗滿光刻膠的半導體矽片已經被運往了光刻區域,隻剩下最後的光刻步驟。

随着透鏡組移動到指定位置,13.5納米波長的極紫外光發生了折射,精準地照射在兩塊圖案互補的光掩膜版上,而光掩膜版上面的完整圖案被照射後,最終落到待曝光的半導體矽片表面。

“滋——”

ArF光刻膠遇到光源,内部開始發生化學反應。

而ArF光刻膠又分正膠和反膠,這次曝光用的是正膠,被曝光區域的光刻膠會發生化學反應,沒曝光區域則不受到影響。

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